Infineon IRF8010PBF: MOSFET de Potência para Aplicações Exigentes
O IRF8010PBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N que oferece excelente desempenho em uma ampla gama de aplicações, desde conversores DC-DC de alta frequência até UPS e controle de motores. Com uma tensão de ruptura de 100V e uma corrente de dreno de 80A, este transistor é ideal para projetos que exigem alta eficiência e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IRF8010PBF:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno (ID): 80A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 15mΩ
- Carga Total de Porta (Qg): 81nC
- Dissipação de Potência (PD): 150W
- Temperatura de Junção (TJ): -55°C a +175°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais:
O IRF8010PBF se destaca por suas características que o tornam uma escolha superior em projetos de eletrônica de potência:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
- Baixa carga de porta (Qg), proporcionando comutação rápida e reduzindo perdas.
- Capacitância totalmente caracterizada, incluindo Coss efetiva, simplificando o design.
- Tensão de avalanche e corrente totalmente caracterizadas.
- Encapsulamento TO-220AB robusto e amplamente utilizado.
Aplicações do MOSFET IRF8010PBF:
Este MOSFET de potência é adequado para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Conversores DC-DC de alta frequência
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Controle de motores
- Aplicações automotivas
- Circuitos de acionamento de solenoides
- E muito mais!
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