Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 45 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 12 mΩ a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Gate | Source (Igss): ±100 nA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 150 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF7821TRPBF pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 60 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7821TRPBF?
O IRF7821TRPBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a 175 °C.
Quais as características de encapsulamento e corrente do IRF7821TRPBF?
O IRF7821TRPBF utiliza o package PG-TDSON-8 e suporta uma corrente Drain contínua (Id) de 45 A.