Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 400 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 12 A |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 48 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.35 Ohm @ Vgs = 10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 45 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | TO-220AB |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7470PBF?
O IRF7470PBF é encapsulado em TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7470PBF?
A temperatura de operação do IRF7470PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas principais do IRF7470PBF?
O IRF7470PBF possui tensão Drain-Source (Vds) de 400V, corrente de Drain contínua (Id) de 12A, e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 0.35 Ohm @ Vgs = 10V.