Descrição
MOSFET de canal N de alta velocidade, 30V, 10A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento de montagem em superfície (SMD).
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | Canal N |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 10A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 15mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Montagem | SMD |
| Polaridade | Unipolar |
| Frequência de Operação | Alta |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento e método de montagem do IRF7416TRPBF?
O IRF7416TRPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263) e é montado em superfície (SMD).
Qual a tensão máxima que o IRF7416TRPBF suporta e qual a corrente contínua máxima?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima é de 30V e a corrente de dreno contínua (Id) é de 10A.
Qual a tecnologia utilizada no IRF7416TRPBF e qual a sua característica principal?
O IRF7416TRPBF utiliza a tecnologia HEXFET Power MOSFET. Ele possui baixa resistência de condução (RDS(on)) de 15mΩ @ Vgs = 10V.