Infineon FZ1600R12KF4

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Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta corrente com diodo freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão Coletor Emissor (Vces): 1200 V
Corrente Contínua de Coletor (Ic) 1600 A
Tecnologia IGBT Trench Fieldstop
Diodo Freewheeling Diode Fast
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico)
Corrente de Gate (Ig) 100 mA
Tensão de Gate Emissor (Vge): ±20 V
Package Module
Número de Chaves 6
Resistência Térmica (RthJC) 0.02 K/W
Temperatura de Operação -40°C a +125°C

FAQ

Qual a tensão máxima que o IGBT FZ1600R12KF4 pode suportar?

A tensão Coletor: Emissor (Vces) máxima é de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo FZ1600R12KF4?

O módulo FZ1600R12KF4 pode operar em temperaturas que variam de -40°C a +125°C.

Qual a corrente contínua máxima que o módulo FZ1600R12KF4 pode conduzir e qual sua tecnologia IGBT?

A corrente contínua de coletor (Ic) máxima é de 1600 A e utiliza a tecnologia IGBT Trench Fieldstop.

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