Descrição
Módulo de memória SDRAM DDR 512Mbit (64M x 8bit) da Infineon, projetado para aplicações de alta performance.
Especificações
| Tipo de memória | SDRAM DDR |
|---|---|
| Capacidade | 512 Mbit |
| Organização | 64M x 8bit |
| Tensão de operação | 2.5V – 2.7V |
| Velocidade | PC2100 (DDR-266) |
| Latência CAS | CL2.5 |
| Encapsulamento | FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Temperatura de operação | 0°C a 70°C |
| Número de pinos | 66 |
| Interface | DDR SDRAM |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do módulo de memória HYS72T64001HR-5-A?
O módulo de memória HYS72T64001HR-5-A utiliza encapsulamento FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array).
Qual a faixa de temperatura de operação do HYS72T64001HR-5-A?
O HYS72T64001HR-5-A opera em uma faixa de temperatura de 0°C a 70°C.
Qual a tensão de operação do módulo de memória HYS72T64001HR-5-A?
A tensão de operação do HYS72T64001HR-5-A é de 2.5V a 2.7V.