Descrição
Transistor de efeito de campo (FET) de potência de silício de carbureto (SiC) de 500V, 21A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 (SiC) |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 500 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 21 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.16 Ω (típico) |
| Tensão de Gate | Fonte (Vgs): ±20 V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,puls) | 84 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1000 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 20 pF (típico) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Package | PG-TO220-3 |
| Dielétrico de Gate | SiO2 |
| Aplicações | Fontes de alimentação comutadas, inversores solares, carregadores de veículos elétricos |
FAQ
Qual a tensão máxima que o SPA21N50C3 suporta?
O SPA21N50C3 suporta uma tensão Dreno: Fonte (Vds) de até 500 V.
Em quais temperaturas o SPA21N50C3 pode operar?
O SPA21N50C3 pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a +150 °C.
Quais são algumas aplicações típicas do SPA21N50C3?
As aplicações típicas do SPA21N50C3 incluem fontes de alimentação comutadas, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.