Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 15 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Configuração de meio ponte (Half Bridge)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor suportada pelo FP15R12W1T4B11?
O módulo de potência FP15R12W1T4B11 da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo FP15R12W1T4B11?
O FP15R12W1T4B11 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas UPS (Uninterruptible Power Supply) e fontes de alimentação industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T4B11?
A faixa de temperatura de operação do FP15R12W1T4B11 é de -40 °C a +125 °C.