Infineon IRF7319TRPBF

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O Infineon IRF7319TRPBF é um MOSFET de canal duplo N, projetado para aplicações de alta eficiência e com baixa resistência.

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Descrição

O Infineon IRF7319TRPBF é um MOSFET de canal duplo N, projetado para aplicações de alta eficiência e com baixa resistência.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Canal Duplo N
Tensão Drain Source (Vds): 30V
Corrente Contínua de Drain (Id) 8.3A
Resistência Drain Source (Rds(on)): 15mΩ @ Vgs = 10V
Tensão de Threshold Gate Source (Vgs(th)): 2V
Tecnologia HEXFET Power MOSFET
Encapsulamento SO-8 (PowerPAK SO-8)
Temperatura de Operação -55°C a +150°C
Corrente de Drain Pulsada (Idm) 33A
Carga de Gate Total (Qg) 15nC @ Vgs = 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) 650pF @ Vds = 25V
Capacitância de Saída (Coss) 150pF @ Vds = 25V
Capacitância de Transferência (Crss) 30pF @ Vds = 25V

Recursos

  • RoHS Compliant

FAQ

Qual o encapsulamento do IRF7319TRPBF?

O IRF7319TRPBF é encapsulado em SO-8 (PowerPAK SO-8).

Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7319TRPBF?

A temperatura de operação do IRF7319TRPBF varia de -55°C a +150°C.

Qual o tipo de transistor do IRF7319TRPBF e qual sua tensão Drain:Source?

O IRF7319TRPBF é um MOSFET de Canal Duplo N, com tensão Drain:Source (Vds) de 30V.

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