Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 11A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TO220FP.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 11 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.32 Ohm (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Encapsulamento | PG-TO220FP |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 44 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Diodo de Recuperação Rápida | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC, eletrônica de potência. |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon SPA11N60C3XKSA1?
O transistor Infineon SPA11N60C3XKSA1 possui encapsulamento PG-TO220FP.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA11N60C3XKSA1?
A temperatura de operação do SPA11N60C3XKSA1 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do MOSFET SPA11N60C3XKSA1?
O SPA11N60C3XKSA1 é indicado para aplicações em fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC e eletrônica de potência.