Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1000 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 210 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 105 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 210 A: 1.7 V |
| Corrente de Curto | Circuito (Isc): 210 A |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 70 ns |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 4000 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 500 pF |
| Capacitância Reverso (Cres) | 100 pF |
| Resistência Térmica Junção | Caso (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | TO-247-3 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor T218N10TOF suporta?
O transistor IGBT T218N10TOF da Infineon possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1000 V.
Qual a corrente máxima que o T218N10TOF pode conduzir?
A corrente contínua de coletor (Ic) do T218N10TOF é de 210 A a 25°C e 105 A a 100°C.
Qual o package do T218N10TOF e qual sua resistência térmica?
O T218N10TOF vem no package TO-247-3 e sua resistência térmica junção-caso (RthJC) é de 0.35 K/W.