Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, 800V, 11A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e tecnologia CoolMOS C3.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 800 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 11 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.32 Ohm (Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Tipo de Canal | N |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC (Vgs=10V) |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon SPP11N80C3?
O transistor Infineon SPP11N80C3 é encapsulado em um TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP11N80C3?
O SPP11N80C3 opera em temperaturas que variam de -55°C a +150°C.
Qual a tensão máxima que o SPP11N80C3 pode suportar entre o Drain e o Source?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do SPP11N80C3 é de 800V.