Infineon SKB02N120: IGBT de Alta Velocidade para Aplicações Exigentes

O Infineon SKB02N120 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta velocidade que oferece excelente desempenho em uma variedade de aplicações de comutação de potência. Com tecnologia NPT, este componente garante alta robustez, distribuição de parâmetros precisa e capacidade de comutação paralela, tornando-o ideal para projetos que exigem confiabilidade e eficiência.

Especificações Técnicas do SKB02N120

• Tecnologia: NPT
• Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
• Corrente de coletor (IC): 2A
• Dissipação de potência (Ptot): 62W
• Tempo de curto-circuito (tSC): 10µs
• Temperatura de operação (Tj): -55°C a +150°C
• Encapsulamento: PG-TO263-3-2

Características e Benefícios do IGBT Infineon SKB02N120

O SKB02N120 se destaca por suas características avançadas que o tornam uma escolha superior para diversas aplicações:

• Alta velocidade de comutação: Permite operação em altas frequências, reduzindo perdas e aumentando a eficiência energética.
• Baixa perda de comutação (Eoff): Minimiza a dissipação de energia durante a transição entre os estados ligado e desligado.
• Alta robustez: Suporta curtos-circuitos e picos de tensão, garantindo maior confiabilidade e vida útil prolongada.
• Diodo emissor controlado antiparalelo de recuperação rápida e suave: Reduz interferências eletromagnéticas e melhora o desempenho geral do circuito.

Aplicações do SKB02N120

Este IGBT é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

• Inversores de frequência para motores
• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
• Controles industriais
• Eletrodomésticos como máquinas de lavar, ventiladores e aspiradores de pó

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