Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 70 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, controle de motor |
| Número de componentes | 6 IGBTs, 6 Diodos |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP35R12KT4B11BOSA1?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a temperatura de operação varia de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP35R12KT4B11BOSA1?
O FP35R12KT4B11BOSA1 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (sistemas de alimentação ininterrupta) e controle de motor.
Quais as características do diodo de freewheeling integrado no FP35R12KT4B11BOSA1?
O FP35R12KT4B11BOSA1 possui um diodo de freewheeling integrado (Fast Diode) e utiliza a tecnologia IGBT 4.