Infineon BSZ440N10NS3G: MOSFET de Potência de Alta Eficiência
O Infineon BSZ440N10NS3G é um MOSFET de potência N-Channel de última geração, projetado para fornecer alto desempenho e eficiência em uma variedade de aplicações. Com tecnologia de ponta, este componente oferece baixa resistência (RDS(on)), capacitância reduzida e chaveamento rápido, tornando-o ideal para projetos que exigem alta eficiência energética e desempenho otimizado.
Especificações Técnicas do Infineon BSZ440N10NS3G:
- Tensão Drain-Source (VDS): 100V
- Corrente de Dreno (ID): 18A
- RDS(on) @10V: 44mΩ
- Tecnologia: OptiMOS™ 3
- Encapsulamento: PQFN 3.3 x 3.3
- Configuração: Canal N único
- Temperatura de Operação: -55°C a 150°C
Aplicações do MOSFET BSZ440N10NS3G:
Graças à sua combinação de alta eficiência, baixo RDS(on) e chaveamento rápido, o BSZ440N10NS3G da Infineon é uma escolha versátil para diversas aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Gerenciamento de bateria
- Carregadores de bateria
- Aplicações automotivas
Benefícios do Infineon BSZ440N10NS3G:
Este MOSFET de potência oferece uma série de vantagens que o tornam uma solução superior para suas necessidades de projeto:
- Alta Eficiência: Baixa resistência no estado ligado (RDS(on)) para minimizar perdas de energia.
- Tamanho Compacto: Encapsulamento PQFN 3.3 x 3.3 que economiza espaço na placa de circuito impresso.
- Confiabilidade: Projetado e fabricado pela Infineon, líder mundial em semicondutores de potência.
- Desempenho aprimorado: Capacitância reduzida e velocidade de chaveamento rápida para melhor desempenho.
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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon BSZ440N10NS3G e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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