Transistor MOSFET Infineon BSC100N06LS3G
Procurando por um MOSFET de canal N de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSC100N06LS3G, um componente que oferece excelente desempenho e eficiência para projetos de eletrônica de potência.
Especificações Técnicas do Infineon BSC100N06LS3G:
- Tecnologia OptiMOS™ 3: garante alta eficiência e baixa resistência.
- Tensão de ruptura (VDSS): 60V
- Corrente de dreno (ID): 50A
- Resistência de estado ligado (RDS(on)): 11.8mΩ @ VGS = 4.5V
- RDS(on): 7.8mΩ @ VGS = 10V
- Encapsulamento: TDSON-8
- Aplicações: Retificação síncrona em fontes chaveadas (SMPS), conversores DC-DC, inversores, controladores de motor e muito mais.
Vantagens do BSC100N06LS3G:
O BSC100N06LS3G da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam a escolha ideal para suas necessidades:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)): minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
- Alta capacidade de corrente: permite o uso em aplicações de alta potência.
- Encapsulamento compacto TDSON-8: facilita a integração em projetos com espaço limitado.
- Excelente desempenho térmico: garante operação confiável em altas temperaturas.
Aplicações do Transistor MOSFET BSC100N06LS3G:
Este MOSFET é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS) para servidores, desktops e carregadores de tablets.
- Conversores DC-DC de alta eficiência.
- Inversores para aplicações de energia renovável.
- Controladores de motor para ferramentas elétricas e veículos elétricos.
- Gerenciamento de bateria.
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