Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e eficiência energética.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 800 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 6 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.3 Ω |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate Máxima (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Tipo de Canal | N |
| Carga de Gate (Qg) | 22 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 8 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP06N80C3?
O SPP06N80C3 utiliza o encapsulamento PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP06N80C3?
A temperatura de operação do SPP06N80C3 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais são as principais características elétricas do SPP06N80C3?
O SPP06N80C3 possui tensão Drain-Source (Vds) de 800 V, corrente Drain contínua (Id) de 6 A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 0.3 Ω, tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V, e potência dissipada (Pd) de 150 W.