Infineon SI9420DY

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O Infineon SI9420DY é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos e industriais.

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Descrição

O Infineon SI9420DY é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos e industriais.

Especificações

Tecnologia PowerTrench® MOSFET
Tipo de Canal Canal N
Tensão Drain Source (Vds): 30V
Corrente Contínua de Drain (Id) 100A (com dissipação adequada)
Resistência Drain Source (Rds(on)): 4.2 mΩ (típico) @ Vgs = 10V
Tensão Gate Source (Vgs): ±20V
Tensão de Limiar Gate Source (Vgs(th)): 2.5V (típico)
Package PowerPAK® SO-8
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Aplicações Gerenciamento de energia automotivo, inversores, fontes de alimentação

Recursos

  • Baixa Carga de Gate (Qg)
  • Baixa Resistência Rds(on)

FAQ

Qual o tipo de MOSFET e a tecnologia utilizada no SI9420DY?

O Infineon SI9420DY é um MOSFET de canal N construído com a tecnologia PowerTrench® MOSFET.

Quais são as principais aplicações e a faixa de temperatura de operação do SI9420DY?

O SI9420DY é ideal para gerenciamento de energia automotivo, inversores e fontes de alimentação, operando em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.

Quais são os valores de tensão e corrente suportados pelo SI9420DY?

O SI9420DY suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 30V e uma corrente contínua de Drain (Id) de 100A (com dissipação adequada). A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20V.

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