Infineon T1509N16TOFS02

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O Infineon T1509N16TOFS02 é um transistor de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de comutação rápida em sistemas de energia.

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Descrição

O Infineon T1509N16TOFS02 é um transistor de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de comutação rápida em sistemas de energia.

Especificações

Tecnologia Trench IGBT4
Tensão Coletor Emissor (Vces): 1600 V
Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C 150 A
Corrente de Pico de Coletor (Icm) 600 A
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)) a 150 A, 25°C: 1.75 V
Tensão de Gate Emissor (Vge) nominal: 15 V
Corrente de Gate (Ig) máxima 2.5 A
Capacitância de Entrada (Cies) 10.5 nF
Capacitância de Saída (Coes) 1.2 nF
Capacitância de Transferência (Cres) 0.6 nF
Tempo de Subida (tr) 20 ns
Tempo de Descida (tf) 50 ns
Package TO-247-3
Faixa de Temperatura de Operação (Tj) -40°C a +150°C

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo T1509N16TOFS02?

O Infineon T1509N16TOFS02 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1600 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do T1509N16TOFS02?

A faixa de temperatura de operação (Tj) do T1509N16TOFS02 é de -40°C a +150°C.

Qual o package e a corrente contínua suportada pelo T1509N16TOFS02?

O T1509N16TOFS02 possui package TO-247-3 e suporta uma corrente contínua de coletor (Ic) de 150 A a 100°C.

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