Infineon HYS64D32020GDL-7-B

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Módulo de memória DRAM síncrona de 256 Megabits (2Mx16) com interface DDR2 SDRAM. Projetado para aplicações de alta performance em sistemas embarcados e de comunicação.

SKU: HYS64D32020GDL-7-B Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de memória DRAM síncrona de 256 Megabits (2Mx16) com interface DDR2 SDRAM. Projetado para aplicações de alta performance em sistemas embarcados e de comunicação.

Especificações

Tipo de memória DDR2 SDRAM
Capacidade 256 Megabits
Organização 2Mx16 bits
Tensão de operação 1.8V
Velocidade DDR2-667 (PC2-5300)
Latência CAS CL5
Encapsulamento FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)
Temperatura de operação 0°C a 70°C
Interface Paralela
Número de pinos 60
Fabricante Infineon Technologies

FAQ

Qual o tipo de encapsulamento do módulo de memória?

O módulo de memória Infineon HYS64D32020GDL-7-B utiliza encapsulamento FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array).

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

O módulo de memória opera em uma faixa de temperatura de 0°C a 70°C.

Qual a tensão de operação do módulo de memória?

A tensão de operação do módulo de memória é de 1.8V.

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