Descrição
O Infineon BUZ104 é um transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de potência canal N, projetado para aplicações de comutação de alta corrente.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 30 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.04 Ohm |
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Potência Máxima de Dissipação (Pd) | 150 W |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do BUZ104?
O BUZ104 possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ104?
O BUZ104 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 150 °C.
Quais são os valores de tensão e corrente suportados pelo BUZ104?
O BUZ104 é um MOSFET Canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 60 V e corrente contínua de Drain (Id) de 30 A. A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.