Descrição
Transistor de potência MOSFET de canal N, 160V, 105A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 247.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 160 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 105 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 16 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Alta eficiência
- Ideal para aplicações de fonte de alimentação e inversores
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon DD105N16L?
O transistor Infineon DD105N16L possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do DD105N16L?
O DD105N16L opera em temperaturas de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do Infineon DD105N16L?
O DD105N16L é ideal para aplicações de fonte de alimentação e inversores, devido à sua alta eficiência.