Descrição
O Infineon BUP311D é um transistor de efeito de campo (FET) de potência de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel Power MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 12 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.35 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tecnologia | CoolMOS™ C7 |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Carga de Gate (Qg) | 30 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Diodo de Recuperação Rápida | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BUP311D?
O Infineon BUP311D é encapsulado em um TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUP311D?
O BUP311D opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +150°C.
Qual a tensão máxima de Gate-Source do BUP311D?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do Infineon BUP311D é ±20 V.