Descrição
Transistor de efeito de campo de óxido de metal (MOSFET) de silício de alta velocidade, N Channel, para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-Channel |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 12 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.4 Ohm |
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Carga de Gate (Qg) | 30 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 500 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 20 pF |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BUZ305?
O BUZ305 utiliza o encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ305?
O BUZ305 opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +150°C.
Quais as principais características elétricas do BUZ305?
O BUZ305 é um MOSFET de canal N com tensão Dreno-Fonte (Vds) de 600V, corrente de dreno contínua (Id) de 12A, e resistência Dreno-Fonte (Rds(on)) de 0.4 Ohm.