Infineon SPP18P06P H: MOSFET de Potência P-Channel
O Infineon SPP18P06P H é um MOSFET de potência P-Channel de alta qualidade, projetado para aplicações que exigem alto desempenho e confiabilidade. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte de -60V e uma corrente de dreno contínua de -18.7A, este transistor é ideal para uso em uma variedade de circuitos, incluindo conversores DC-DC, controladores de motor e fontes de alimentação.
Características Principais do SPP18P06P H:
- Tecnologia TrenchMOS™ para baixa resistência de condução e alta capacidade de comutação
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)) de 98mΩ
- Alta capacidade de corrente de dreno, ideal para aplicações de alta potência
- Encapsulamento TO-220-3 robusto para fácil montagem e dissipação de calor
- Excelente estabilidade térmica e confiabilidade
Especificações Técnicas:
Aqui estão algumas das especificações técnicas importantes do Infineon SPP18P06P H:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): -60V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): -18.7A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 98mΩ
- Tensão de Threshold da Porta (VGS(th)): -2.5V a -4.0V
- Dissipação de Potência (Ptot): 48W
- Temperatura de Junção (Tj): -55°C a +150°C
- Encapsulamento: TO-220-3
Aplicações:
O SPP18P06P H é uma escolha versátil para diversas aplicações, como:
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Fontes de alimentação chaveadas
- Circuitos de acionamento de relés
- Sistemas de gerenciamento de bateria
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