Descrição
O Infineon BSP752R é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações automotivas e industriais, oferecendo baixo RDS(on) e excelente desempenho térmico.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 15 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 5.5 mOhm (típico a Vgs=10V) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Proteção contra sobrecorrente integrada
- Proteção contra sobretemperatura integrada
- Baixa carga de gate
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP752R?
O Infineon BSP752R é encapsulado em PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP752R?
A faixa de temperatura de operação do BSP752R é de -40 °C a +150 °C.
Quais proteções estão integradas no BSP752R?
O BSP752R possui proteção contra sobrecorrente e proteção contra sobretemperatura integradas.