Descrição
Transistor de potência IGBT de canal N, 1400V, 100A, com diodo de roda livre integrado, encapsulado em TO 247.
Especificações
| Tecnologia | IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1400 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 100 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 60 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 100A, Vge=15V: 2.0 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 200 mA |
| Potência Máxima de Dissipação (Ptot) a 25°C | 303 W |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.4 K/W |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon TT105N14LOF?
O transistor Infineon TT105N14LOF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do TT105N14LOF?
A temperatura de operação do TT105N14LOF é de -40°C a +150°C.
O TT105N14LOF possui proteção contra sobretensão?
Sim, o TT105N14LOF possui um diodo de roda livre integrado para proteção.