Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 160 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 100 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 160A, Vge=15V: Máx. 2.0 V |
| Corrente de Curto | Circuito (Isc): 160 A |
| Tempo de Subida (tr) | Típico 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | Típico 50 ns |
| Capacitância de Entrada (Cies) | Típico 4.5 nF |
| Capacitância de Saída (Coes) | Típico 0.4 nF |
| Capacitância Reverso (Cres) | Típico 0.4 nF |
| Resistência Térmica Junção | Caso (RthJC): Máx. 0.25 K/W |
| Package | TO-247 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor T160N16BOF pode suportar?
O transistor T160N16BOF possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1600 V.
Qual a corrente máxima que o T160N16BOF pode conduzir em diferentes temperaturas?
A corrente contínua de coletor (Ic) é de 160 A a 25°C e 100 A a 100°C.
Quais são as principais características de comutação do T160N16BOF?
O tempo de subida (tr) é típico de 15 ns, o tempo de descida (tf) é típico de 50 ns. A tecnologia utilizada é Trench IGBT 4 e o transistor é encapsulado em um package TO-247.