Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 70A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 70 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 7.2 mOhm (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Corrente Gate Pulsada (Id) | 300 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 300 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Package | PG-TO263-3 |
| Encapsulamento | Superfície |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC, gerenciamento de bateria. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP70N10L e como ele é montado?
O SPP70N10L utiliza o package PG-TO263-3 e o encapsulamento é para montagem em superfície.
Quais as temperaturas de operação do SPP70N10L?
O SPP70N10L opera em temperaturas que variam de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do SPP70N10L?
O SPP70N10L é tipicamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas, conversores DC/DC e gerenciamento de bateria.