Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 89 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 350 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 89A, 25°C: 1.8 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 mA |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 4500 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 400 pF |
| Capacitância de Transferência (Cres) | 150 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 20 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 50 ns |
| Package | TO-247-3 |
| Faixa de Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor DD89N16-K pode suportar?
O transistor DD89N16-K suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do DD89N16-K?
A faixa de temperatura de operação do DD89N16-K é de -40°C a +150°C.
Quais são as principais características de corrente do DD89N16-K?
O DD89N16-K tem uma corrente de coletor contínua (Ic) de 89 A a 25°C e uma corrente de coletor pulsada (Icm) de 350 A.