Descrição
O Infineon BSP75N é um transistor de efeito de campo (FET) de alta lateralidade, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tipo de dispositivo | High-side Smart Power Switch |
|---|---|
| Tensão de dreno | fonte (Vds): 60 V |
| Corrente de dreno contínua (Id) | 15 A |
| Corrente de dreno pulsada (Id pulse) | 50 A |
| Resistência de dreno | fonte (RDS(on)): 7.5 mOhm a 25°C |
| Tensão de gate | fonte (Vgs): -20 V a +15 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±100 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Tecnologia | High-side N-channel MOSFET |
| Package | PG-TO220-3-1 |
Recursos
- Proteção contra sobretemperatura
- Proteção contra sobrecorrente
- Proteção contra subtensão
- Controle de corrente de saída
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSP75N pode suportar?
O BSP75N suporta uma tensão de dreno-fonte (Vds) de até 60 V.
Em quais temperaturas o BSP75N pode operar?
O BSP75N foi projetado para operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Quais proteções o BSP75N oferece?
O BSP75N oferece proteção contra sobretemperatura, sobrecorrente e subtensão, além de controle da corrente de saída.