Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 11A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 11 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.33 Ω (Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Máxima de Dissipação (Pd) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Package | TO-263 (D2PAK) |
| Encapsulamento | Plástico |
| Polaridade | Canal N |
Recursos
- Tempo de Comutação Rápido
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPB11N60C3?
O SPB11N60C3 possui encapsulamento em plástico, no package TO-263 (D2PAK).
Qual a faixa de temperatura de operação do SPB11N60C3?
A temperatura de operação do SPB11N60C3 varia de -55 °C a +150 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source suportada pelo SPB11N60C3?
O SPB11N60C3 suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de até 600 V.