Descrição
Módulo de potência IGBT de alta velocidade da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TrenchField High Speed 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 84 A |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +175 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Half-bridge |
Recursos
- Perdas de condução e comutação otimizadas
- Baixa indutância interna
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a configuração do Infineon DDB6U84N12RR?
O módulo de potência DDB6U84N12RR possui configuração Half-bridge e utiliza o package EconoDUAL™ 3.
Quais são os limites de temperatura de operação do DDB6U84N12RR?
A temperatura de operação (Tj) do DDB6U84N12RR varia de -40 °C a +175 °C.
Qual a tensão de coletor-emissor e corrente contínua do coletor do DDB6U84N12RR?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do DDB6U84N12RR é de 1200 V e a corrente contínua do coletor (Ic) é de 84 A.