Infineon SPD18P06P G: MOSFET de Potência P-Channel de Alta Eficiência

Procurando por um MOSFET de potência P-channel confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o Infineon SPD18P06P G, um componente eletrônico de alta qualidade que oferece excelente desempenho e confiabilidade.

Especificações Técnicas do Infineon SPD18P06P G

O SPD18P06P G é um MOSFET de potência que se destaca por suas características:

• Tecnologia OptiMOS™: Garante alta eficiência e baixo RDS(on), minimizando perdas de energia.
• Tensão de Dreno-Fonte (VDS): 60V
• Corrente de Dreno (ID): 18.6A
• Dissipação de Potência (PD): 80W
• Encapsulamento PG-TO252-3: Facilita a montagem em placas de circuito impresso.
• Baixa resistência de estado (RDS(on)): Proporciona menor perda de potência e maior eficiência.
• Excelente desempenho térmico: Permite operação em altas temperaturas.

Aplicações do MOSFET SPD18P06P G

Graças à sua robustez e eficiência, o Infineon SPD18P06P G é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:

• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS): Utilizado em conversores DC-DC, carregadores de bateria e outras aplicações de gerenciamento de energia.
• Controle de motor: Permite o controle preciso de motores DC em aplicações industriais e automotivas.
• Circuitos de acionamento: Aciona relés, solenoides e outros dispositivos de alta corrente.
• Aplicações automotivas: Utilizado em sistemas de iluminação, controle de janela e outros sistemas eletrônicos automotivos.

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Benefícios do Infineon SPD18P06P G

Ao escolher o SPD18P06P G da Infineon, você terá acesso a diversos benefícios, como:

• Alta eficiência energética: Reduz perdas e aumenta a vida útil da bateria.
• Confiabilidade e durabilidade: Construído com materiais de alta qualidade para garantir operação estável a longo prazo.
• Excelente relação custo-benefício: Oferece alto desempenho a um preço competitivo.
• Conformidade com os padrões RoHS: Atende às normas ambientais internacionais.

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