Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série SPP, otimizado para aplicações de comutação de alta frequência e baixa tensão.
Especificações
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 100 V |
|---|---|
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 47 A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 0.018 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (typ.) |
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
| Package | PG-TO263-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Gate Charge (Qg) | 45 nC (typ.) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300 pF (typ.) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 200 pF (typ.) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 30 pF (typ.) |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,pulse) | 188 A |
| Corrente de Dreno Máxima (Idm) | 188 A |
FAQ
Qual a tensão máxima que o SPP47N10 pode suportar no dreno?
O SPP47N10 suporta uma tensão Dreno-Fonte (Vds) de até 100 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP47N10?
O SPP47N10 pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a +150 °C.
Qual a corrente máxima que o SPP47N10 pode conduzir?
A corrente de Dreno Contínua (Id) do SPP47N10 é de 47 A. A corrente de dreno pulsada (Id,pulse) e máxima (Idm) é de 188 A.