Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 47 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 17 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | SuperSO8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | PG-TDSO-8 |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa carga de comutação (Qoss)
- Baixa carga de recuperação reversa (Qrr)
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon SPI47N10?
O transistor Infineon SPI47N10 é encapsulado em PG-TDSO-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPI47N10?
O SPI47N10 opera em temperaturas entre -55 °C a 150 °C.
Quais são algumas das vantagens do SPI47N10 para gerenciamento de energia?
O SPI47N10 possui baixa carga de gate (Qg), baixa carga de comutação (Qoss) e baixa carga de recuperação reversa (Qrr), sendo ideal para aplicações de gerenciamento de energia.