Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT NPT
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT BSM75GB120DN2-SCH100 pode suportar?
A tensão coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o BSM75GB120DN2-SCH100 pode operar?
O BSM75GB120DN2-SCH100 pode operar em temperaturas de -40 °C a +150 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do módulo de potência BSM75GB120DN2-SCH100?
O BSM75GB120DN2-SCH100 é utilizado em inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.