Descrição
Transistor MOSFET de potência de SiC 650V, 380mΩ, em encapsulamento TO 247, otimizado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolSiC™ MOSFET 650V |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 650 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 380 mΩ |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 23 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO247-3 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| Aplicações | Servidores, telecomunicações, fontes de energia industrial |
Recursos
- Baixa perda de comutação
- Alta densidade de potência
- Ideal para fontes de alimentação comutadas (SMPS)
FAQ
Qual o encapsulamento do IPA65R380E6?
O IPA65R380E6 utiliza o encapsulamento PG-TO247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPA65R380E6?
O IPA65R380E6 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IPA65R380E6?
O IPA65R380E6 é ideal para aplicações como servidores, telecomunicações e fontes de energia industrial.