Descrição
O Infineon BSP78 é um transistor de efeito de campo (FET) de alta corrente, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tipo de dispositivo | N-channel Power MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 6.5 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,puls) | 400 A |
| Carga de Gate (Qg) | 65 nC |
| Tempo de subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP78?
O Infineon BSP78 é encapsulado em PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP78?
O BSP78 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão de Gate:Source máxima suportada pelo BSP78?
A tensão de Gate:Source (Vgs) máxima suportada pelo BSP78 é de ±20 V.