Descrição
Módulo de memória DRAM síncrona de 64M x 64 bits, DDR2 SDRAM, com 4 Gbit de capacidade total. Projetado para aplicações de alta performance.
Especificações
| Tipo de Memória | DDR2 SDRAM |
|---|---|
| Capacidade Total | 4 Gbit |
| Organização | 64M x 64 bits |
| Tensão de Operação | 1.8V |
| Velocidade | DDR2-667 (CL5) |
| Encapsulamento | FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Número de Pinos | 86 |
| Temperatura de Operação | 0°C a 70°C (Grau Comercial) |
| Interface | Paralela |
| Latência CAS (CL) | 5 |
| Refresh Rate | Auto Refresh, Self Refresh |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do módulo de memória Infineon HYS64T64000HU-3S-B?
O módulo de memória utiliza encapsulamento FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array).
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de memória?
O módulo de memória opera em uma faixa de temperatura de 0°C a 70°C (Grau Comercial).
Qual a tensão de operação do módulo de memória Infineon HYS64T64000HU-3S-B?
A tensão de operação do módulo é de 1.8V.