Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência.
Especificações
| Tensão do Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) a 25°C | 7 A |
| Corrente Contínua do Coletor (Ic) a 100°C | 4 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 7 A, 25°C: 1.7 V |
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
| Package | TO-247 |
| Corrente Pulsada do Coletor (Icm) | 28 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 130 W |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Frequência de Comutação | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, controle de motores |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT SKW07N120 suporta?
O transistor SKW07N120 da Infineon possui uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o SKW07N120 pode operar e qual sua dissipação de potência?
O SKW07N120 opera em temperaturas que variam de -40°C a 150°C. A dissipação de potência (Ptot) é de 130 W a 25°C.
Quais as aplicações típicas do SKW07N120 e qual sua corrente contínua máxima?
As aplicações típicas do SKW07N120 incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e controle de motores. Sua corrente contínua do coletor (Ic) é de 7 A a 25°C e 4 A a 100°C.