Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1800 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 140 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 70 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 140A, 25°C: 2.0 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 1.5 A |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +150°C |
| Package | TO-247-3 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 303 W |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.41 K/W |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon TD140N18KOF?
O Infineon TD140N18KOF possui encapsulamento TO-247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do TD140N18KOF?
A temperatura de operação (Tj) do TD140N18KOF está entre -40°C e +150°C.
Este transistor possui alguma proteção integrada?
Sim, o TD140N18KOF possui um Diodo de Ruptura Rápida Integrado (Fast Diode).