Infineon SGP07N120: Transistor IGBT de Alta Potência para Aplicações Exigentes
O Infineon SGP07N120 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de 7ª geração que oferece um desempenho excepcional em aplicações de alta potência. Projetado com a avançada tecnologia TRENCHSTOP™ da Infineon, este componente garante alta eficiência e confiabilidade em projetos de eletrônica de potência.
Especificações Técnicas do SGP07N120
- Tecnologia: TRENCHSTOP™ IGBT 7ª geração
- Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 16.5A
- Dissipação de potência (Ptot): 125W
- Tempo de resistência a curto-circuito (tSC): 10µs
- Encapsulamento: TO-220AB
- Temperatura de junção (Tj): -55°C a +150°C
Aplicações do Transistor IGBT Infineon SGP07N120
Graças à sua robustez e desempenho, o SGP07N120 é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Controles de motor
- Inversores
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Sistemas de energia solar
- Aplicações de aquecimento por indução
- Soldagem
Benefícios do SGP07N120
Este transistor IGBT da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para seus projetos:
- Alta eficiência: A tecnologia TRENCHSTOP™ garante baixas perdas de condução e comutação, resultando em maior eficiência energética.
- Confiabilidade robusta: O SGP07N120 apresenta excelente resistência a curto-circuito e alta capacidade de corrente, proporcionando maior confiabilidade em ambientes exigentes.
- Facilidade de uso: O encapsulamento TO-220AB padrão da indústria facilita a integração em seus projetos.
- Excelente desempenho térmico: O componente possui baixa resistência térmica, permitindo uma dissipação de calor eficiente e maior vida útil.
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