Descrição
Transistor de efeito de campo (FET) de potência de silício N Channel, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 12 A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 0.35 Ohm |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 3 V |
| Package | TO-220 |
| Encapsulamento | Through Hole |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), adaptadores, iluminação |
Recursos
- Baixa carga de gate
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BUZ31LH e como ele é montado?
O BUZ31LH possui encapsulamento TO-220 e é montado por meio de furos (Through Hole).
Qual a faixa de temperatura de operação do BUZ31LH?
O BUZ31LH opera em temperaturas de -55°C a 150°C.
Quais são algumas aplicações típicas do BUZ31LH?
O BUZ31LH é utilizado em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), adaptadores e aplicações de iluminação.