Transistor MOSFET Infineon BUZ32H
O BUZ32H da Infineon é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta velocidade e alta potência. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte de 200V e uma corrente de dreno contínua de 9.5A, este componente é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de relé
- Aplicações automotivas
Especificações Técnicas do BUZ32H:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 200V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 9.5A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 0.4Ω
- Potência Dissipada (Ptot): 75W
- Encapsulamento: TO-220-3
- Tecnologia: MOSFET de Potência
Características Principais do BUZ32H:
O BUZ32H oferece um conjunto de características que o tornam uma escolha confiável e eficiente para suas necessidades de projeto:
- Baixa resistência de estado ligado, resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, permitindo o controle de cargas significativas.
- Tempo de comutação rápido, ideal para aplicações de alta frequência.
- Encapsulamento TO-220-3 robusto e amplamente utilizado, facilitando a integração em projetos existentes.
Aplicações do Transistor BUZ32H:
Graças à sua versatilidade, o BUZ32H pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, como:
- Fontes de Alimentação: O BUZ32H é ideal para o uso em fontes de alimentação chaveadas, proporcionando alta eficiência e confiabilidade.
- Conversores DC-DC: Sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões o torna uma excelente escolha para conversores DC-DC.
- Controle de Motores: Com sua rápida velocidade de comutação, o BUZ32H pode controlar motores de forma eficiente e precisa.
- Acionamento de Relés: O BUZ32H pode ser usado para acionar relés de alta potência com segurança e confiabilidade.
- Automotivo: Sua robustez e capacidade de lidar com altas temperaturas o tornam adequado para aplicações automotivas exigentes.
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