Descrição
O Infineon BSP350 é um MOSFET de canal N de alta eficiência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia de semicondutor | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.2 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Proteção contra sobrecorrente integrada
- Proteção contra sobretemperatura integrada
- Compatível com RoHS
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP350?
O Infineon BSP350 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP350?
A temperatura de operação do BSP350 varia de -40 °C a +150 °C.
Quais proteções o BSP350 oferece?
O BSP350 oferece proteção contra sobrecorrente e sobretemperatura, e é compatível com RoHS.