Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação e conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.22 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate (Ig) | 100 nA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | TO-247 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Polaridade | Canal N |
| Tempo de Comutação | Rápido |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor SPI20N60C3?
O transistor SPI20N60C3 possui encapsulamento em plástico, no package TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPI20N60C3?
O SPI20N60C3 pode operar em temperaturas de -55 °C a 150 °C.
Quais são as principais características elétricas do SPI20N60C3?
O SPI20N60C3 é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source de 600V, corrente contínua de Drain de 20A, resistência Drain-Source (RDS(on)) de 0.22 Ω (típico), corrente Gate de 100 nA e potência dissipada de 250W. Utiliza a tecnologia CoolMOS C3.