Descrição
Transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor de potência (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de transistor | MOSFET de canal N |
|---|---|
| Tensão de dreno | fonte (Vds): 60 V |
| Corrente de dreno contínua (Id) | 100 A |
| Resistência em estado ligado (RDS(on)) | 4.2 mOhm a 10V |
| Tensão de limiar gate | fonte (Vgs(th)): 2.5 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 150 °C |
| Carga de gate (Qg) | 55 nC |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 2000 pF |
| Capacitância de saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de transferência reversa (Crss) | 150 pF |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BSP92PL6327?
O Infineon BSP92PL6327 é encapsulado em PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP92PL6327?
A temperatura de operação do BSP92PL6327 varia de -55 °C a 150 °C.
Qual a tensão de dreno-fonte (Vds) e corrente de dreno contínua (Id) do BSP92PL6327?
A tensão de dreno-fonte (Vds) é 60 V e a corrente de dreno contínua (Id) é 100 A.