Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 80V, 100A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TO263 3.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 80 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 2.5 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 |
| Tipo de Canal | N |
| Temperatura de Operação | -55 a 175 °C |
| RoHS | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação, gerenciamento de bateria, automotivo |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPB025N08N3G?
O transistor IPB025N08N3G possui encapsulamento PG-TO263-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPB025N08N3G?
A temperatura de operação do IPB025N08N3G varia de -55 a 175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IPB025N08N3G?
O IPB025N08N3G é utilizado em aplicações como fontes de alimentação, gerenciamento de bateria e em sistemas automotivos.