Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, série TRENCHSTOP™ IGBT3, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 75 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 40 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 75A, 15V: 1.5 V |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 225 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 30 A |
| Perda de Energia por Chaveamento (Eon/Eoff) a 400V, 75A, 15V | 1.1 mJ / 0.7 mJ |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a 175 °C |
| Package | TO-247 |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.39 K/W |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Frequência de Chaveamento | Alta |
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo IKW75N60T?
O transistor IGBT IKW75N60T suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IKW75N60T?
A temperatura de operação (Tj) do IKW75N60T varia de -40°C a 175°C.
Quais as características de corrente e chaveamento do IKW75N60T?
O IKW75N60T possui corrente contínua de coletor (Ic) de 75 A a 25°C e 40 A a 100°C. A corrente pulsada de coletor (Icm) é de 225 A. As perdas de energia por chaveamento (Eon/Eoff) são 1.1 mJ / 0.7 mJ a 400V, 75A, 15V. Ele também possui um diodo de roda livre integrado e é projetado para aplicações de alta frequência.